1。SLC、MLC和TLC三代闪存芯片寿命差异比较：
SLC闪存 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的xg111net太平洋在线下载信息，约10万次擦写寿命。
MLC闪存 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC(容量大了一倍，寿命缩短为1/10)。
TLC闪存 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC(容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20)。
2。【SLC和MLC的优势比较】 鉴于目前u盘市场主要以SLC芯片和MLC芯片储存为主，就让我们多了解下SLC和MLC储存吧。
SLC的架构是xg111企业邮局0和1两个值，而MLC架构可以一次存储4个值以上，所以MLC架构的储存密度较高，而且还可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与品质优势。 MLC和SLC相比较，MLC生产成本要低，且容量大。
要是经过改进的话，MLC的读写性能还会进一步地提升!
3。【SLC和MLC的缺点比较】 MLC架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比SLC要短，MLC架构只能够承受1万次的擦写，而SLC架构却可以承受10万次的擦写。其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右，而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢! 还有就是MLC的电流消耗比SLC高，如果在同等使用条件下MLC跟SLC相比的话，MLC的电流消耗要比SLC的电流消耗多出百分之十五左右。
总结：虽然MLC跟SLC相比，MLC缺点要多，但在单颗芯片容量方面，当前MLC还是占据绝对优势的。因为MLC架构和成本都占有绝对优势，能够满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
